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AUIRFS4310TRL备选型号: IPB065N10N3GATMA1
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- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅代码
- 端子位置
- 配置
- 无卤素
- 最大双电源电压
- 无铅
MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK16 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON75A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2013e3活跃1 (Unlimited)2EAR99Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrierAVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE, HIGH RELIABILITY鸥翼26030R-PSSO-G2Single增强型MOSFET300WDRAIN26 nsN-ChannelSWITCHING7m Ω @ 75A, 10V4V @ 250μA7670pF @ 50V250nC @ 10V110ns±20V78 ns75A20V0.007Ohm100V550A980 mJ无ROHS3 Compliant------- Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin TO-263 T/R13 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON80A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™2013-活跃1 (Unlimited)2EAR99--鸥翼未说明未说明R-PSSO-G2-增强型MOSFET-DRAIN19 nsN-ChannelSWITCHING6.5m Ω @ 80A, 10V3.5V @ 90μA4910pF @ 50V64nC @ 10V-±20V9 ns80A20V0.0065Ohm--160 mJ-ROHS3 CompliantyesSINGLESINGLE WITH BUILT-IN DIODE无卤素100V含铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDB3632 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | ON SEMICONDUCTOR - FDB3632 - Power MOSFET, N Channel, 100 V, 80 A, 0.009 ohm, TO-263AB, Surface Mount | 对比 |
| AUIRFS4410Z | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 100V 97A D2PAK | 对比 |
| IPB065N10N3GATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin TO-263 T/R | 对比 |
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