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AUIRFSL6535备选型号: IPI024N06N3GXKSA1
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- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
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- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- 端子表面处理
- 引脚数量
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 无卤素
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 无铅
MOSFET NCH 300V 19A TO26216 Weeks表面贴装通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA19A Tc-55°C~175°C TJTubeAutomotive, AEC-Q101, HEXFET®2015活跃1 (Unlimited)EAR99未说明未说明SingleN-Channel185m Ω @ 11A, 10V5V @ 150μA2340pF @ 25V57nC @ 10V300V±20V19AROHS3 Compliant-------------------------
MOSFET N-CH 60V 120A18 WeeksSurface Mount, Through Hole表面贴装TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA120A Tc-55°C~175°C TJTubeOptiMOS™2008活跃1 (Unlimited)EAR99未说明未说明-N-Channel2.4m Ω @ 100A, 10V4V @ 196μA23000pF @ 30V275nC @ 10V-±20V120AROHS3 Compliant3SILICONe3yes3Tin (Sn)3不合格Single增强型MOSFET250W41 nsSWITCHING无卤素80ns24 ns20V60V0.0024Ohm60V480A9.25mm10mm4.4mm无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | AUIRFSL8409 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Short Leads, I2Pak | MOSFET N-CH 40V 195A TO-262 | 对比 |
| IPI024N06N3GXKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 60V 120A | 对比 |
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