AUIRG4PH50S备选型号: IRG4PH50S-EPBF
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 最大功率耗散
- 元素配置
- 功率耗散
- 箱体转运
- 输入类型
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- JEDEC-95代码
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 端子位置
- 晶体管应用
- 无铅
- IGBT 1200V 57A 200W TO247AC9 Weeks通孔通孔TO-247-33SILICON1.2kV1.7V-55°C~150°C TJTube2007不用于新设计1 (Unlimited)3EAR99200WSingle200WCOLLECTORStandardN-CHANNEL1.7V57ATO-247AC1200V62 ns1.7V @ 15V, 33A2170 ns167nC114A32ns/845ns1.8mJ (on), 19.6mJ (off)20V6V20.7mm15.87mm5.3086mm无SVHC无ROHS3 Compliant---
- IGBT 1200V 57A 200W TO247AD14 Weeks通孔通孔TO-247-33SILICON1.2kV1.7V-55°C~150°C TJTube2000Obsolete1 (Unlimited)3EAR99200WDual200WCOLLECTORStandardN-CHANNEL1.7V57ATO-247AD1200V62 ns1.7V @ 15V, 33A2170 ns167nC114A32ns/845ns1.8mJ (on), 19.6mJ (off)--20.7mm15.87mm5.3086mm无SVHC无符合RoHS标准SINGLE电源控制无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FGH25T120SMD-F155 | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT Transistors 1200V, 25A Field Stop Trench IGBT | 对比 | |
![]() | IRG4PH50S-EPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 1200V 57A 200W TO247AD | 对比 |
![]() | IRG4PH50UPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 1200V 45A 200W TO247AC | 对比 |



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