AUIRGP35B60PD备选型号: IRGP35B60PDPBF
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- 工厂交货时间
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- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 上升时间-最大值
- 元素配置
- 功率耗散
- 箱体转运
- 输入类型
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- JEDEC-95代码
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 最大下降时间 (tf)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 终端
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 上升时间
- 反向恢复时间
- IGBT 600V 60A 308W TO247AC14 Weeks通孔通孔TO-247-33SILICON600V1.85V-55°C~150°C TJTube2004Obsolete1 (Unlimited)3EAR99更高的可靠性308W11nsSingle308WCOLLECTORStandard34 ns电源控制N-CHANNEL2.55V60ATO-247AC34 ns2.55V @ 15V, 35A142 nsNPT160nC120A26ns/110ns220μJ (on), 215μJ (off)20V5V16ns20.7mm15.87mm5.31mm无SVHC无符合RoHS标准无铅-----
- IGBT 600V 60A 308W TO247AC14 Weeks通孔通孔TO-247-33SILICON600V1.85V-55°C~150°C TJBulk2000最后一次购买1 (Unlimited)3EAR99HIGH RELIABILITY, LOW CONDUCTION LOSS308W-Single308WCOLLECTORStandard26 ns电源控制N-CHANNEL2.55V60ATO-247AC34 ns2.55V @ 15V, 35A142 nsNPT160nC120A26ns/110ns220μJ (on), 215μJ (off)20V5V-20.7mm15.87mm5.3086mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅通孔600V60A6ns42 ns
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IXXH30N60B3D1 | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT Transistors XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBT | 对比 |
![]() | IRGP30B60KD-EP | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 600V 60A 304W TO247AD | 对比 |





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