Infineon Technologies IRGP35B60PDPBF

工厂交货时间

14 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.85V

Number of Elements

1

Test Conditions

390V, 22A, 3.3 Ω, 15V

Turn Off Delay Time

110 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2000

零件状态

最后一次购买

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

终端

通孔

ECCN 代码

EAR99

附加功能

HIGH RELIABILITY, LOW CONDUCTION LOSS

电压 - 额定直流

600V

最大功率耗散

308W

额定电流

60A

元素配置

Single

功率耗散

308W

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

接通延迟时间

26 ns

晶体管应用

电源控制

上升时间

6ns

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

2.55V

最大集电极电流

60A

反向恢复时间

42 ns

JEDEC-95代码

TO-247AC

接通时间

34 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.55V @ 15V, 35A

关断时间-标准值（toff)

142 ns

IGBT类型

NPT

闸门收费

160nC

集极脉冲电流（Icm）

120A

Td（开/关）@25°C

26ns/110ns

开关能量

220μJ (on), 215μJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

5V

高度

20.7mm

长度

15.87mm

宽度

5.3086mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅