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首页 全部分类 AUIRGP35B60PD-E vs IXGH30N60C3D1

AUIRGP35B60PD-E备选型号: IXGH30N60C3D1

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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
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  • RoHS状态
  • 无铅
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  • 无铅代码
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  • 端子位置
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  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 配置
  • 输入电容
  • Infineon Technologies
    AUIRGP35B60PD-E
    Infineon Technologies
    IGBT 600V 60A 308W TO247AD
    14 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    600V
    2.15V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2011
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    HIGH RELIABILITY
    308W
    11ns
    Single
    308W
    COLLECTOR
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    2.55V
    60A
    42 ns
    TO-247AD
    34 ns
    2.55V @ 15V, 35A
    142 ns
    NPT
    55nC
    120A
    26ns/110ns
    220μJ (on), 215μJ (off)
    20V
    5V
    16ns
    20.7mm
    15.87mm
    5.31mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • IXYS
    IXGH30N60C3D1
    IXYS
    IGBT 600V 60A 220W TO247
    30 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    600V
    600V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2009
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    -
    220W
    -
    -
    220W
    COLLECTOR
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    600V
    60A
    25ns
    TO-247AD
    45 ns
    3V @ 15V, 20A
    160 ns
    -
    38nC
    150A
    16ns/42ns
    270μJ (on), 90μJ (off)
    20V
    5.5V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    GenX3™
    e1
    yes
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    SINGLE
    未说明
    未说明
    IXG*30N60
    3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    915pF
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