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AUIRL3705ZS备选型号: IPB80N06S208ATMA2
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 附加功能
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 无铅代码
- 端子位置
- 配置
- 无卤素
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 雪崩能量等级（Eas）
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAKTin表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON75A Tc3V @ 250μA-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2010e3Discontinued1 (Unlimited)2EAR998MOhmAVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ULTRA-LOW RESISTANCE鸥翼26030R-PSSO-G2Single增强型MOSFET130WDRAIN17 nsN-ChannelSWITCHING8m Ω @ 52A, 10V2880pF @ 25V60nC @ 5V240ns±16V83 ns75A16V55V4.83mm10.67mm9.65mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅--------- MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3-表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON80A Tc4V @ 150μA-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™2006-活跃1 (Unlimited)2EAR99--鸥翼--R-PSSO-G2-增强型MOSFET-DRAIN14 nsN-Channel-7.7m Ω @ 58A, 10V2860pF @ 25V96nC @ 10V15ns±20V14 ns80A20V-----无ROHS3 Compliant含铅10 WeeksyesSINGLESINGLE WITH BUILT-IN DIODE无卤素55V0.0077Ohm450 mJ
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | HUF75344S3ST | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK | 对比 |
| IPB80N06S208ATMA2 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 | 对比 |
| IRF1010ZSPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK | 对比 |
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