AUIRL7736M2TR备选型号: AUIRL1404ZS
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 附加功能
- 端子位置
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 触点镀层
- JESD-609代码
- ECCN 代码
- 电阻
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 元素配置
- 雪崩能量等级(Eas)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 无铅
- MOSFET 40V AUTOGRADE 1 N-CH HEXFET 3mOhms16 Weeks表面贴装表面贴装DirectFET™ Isometric M49SILICON179A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2011活跃1 (Unlimited)5HIGH RELIABILITY, LOGIC LEVEL COMPATIBLEBOTTOMR-XBCC-N5SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET63WDRAIN48 nsN-ChannelSWITCHING3m Ω @ 67A, 10V2.5V @ 150μA5055pF @ 25V78nC @ 4.5V210ns±16V76 ns179A1.8V16V22A0.003Ohm40V450A无SVHC无ROHS3 Compliant-------------
- MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK13 WeeksSurface Mount, Through Hole表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON160A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2010Discontinued1 (Unlimited)2AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ULTRA-LOW RESISTANCE-R-PSSO-G2-增强型MOSFET200WDRAIN19 nsN-ChannelSWITCHING3.1m Ω @ 75A, 10V2.7V @ 250μA5080pF @ 25V110nC @ 5V180ns±16V49 ns160A1.4V16V--40V790A无SVHC无ROHS3 CompliantTine3EAR995.9MOhm鸥翼26030Single490 mJ9.65mm10.67mm4.83mm无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | AUIRL1404ZS | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK | 对比 |
![]() | IRF6613TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | DirectFET™ Isometric MT | MOSFET N-CH 40V 23A DIRECTFET | 对比 |





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