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首页 全部分类 AUIRLR3915TRL vs STD70N6F3

AUIRLR3915TRL备选型号: STD70N6F3

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  • 场效应管类型
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  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 基本部件号
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • Vgs（最大值）
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    AUIRLR3915TRL
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 55V 61A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R
    13 Weeks
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    表面贴装
    3
    1
    3V @ 250μA
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2015
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Single
    120W
    7.4 ns
    N-Channel
    14m Ω @ 30A, 10V
    1870pF @ 25V
    92nC @ 10V
    51ns
    100 ns
    61A
    16V
    55V
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STD70N6F3
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 60V 70A DPAK
    -
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    表面贴装
    3
    110W Tc
    4V @ 250μA
    -55°C~175°C TJ
    Cut Tape (CT)
    STripFET™ III
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    110W
    -
    N-Channel
    10.5m Ω @ 35A, 10V
    2200pF @ 25V
    35nC @ 10V
    -
    -
    70A
    20V
    60V
    无
    ROHS3 Compliant
    SILICON
    e3
    2
    10.5MOhm
    Matte Tin (Sn) - annealed
    鸥翼
    260
    STD70N
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    ±20V
    280A
    无铅
  • 添加型号
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图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
STD60NF55LT4 STD60NF55LT4 STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET N-Ch 55 Volt 60 Amp 对比
STD70N6F3 STD70N6F3 STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET N-CH 60V 70A DPAK 对比