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首页 全部分类 AUIRLU024Z vs IRLU024NPBF

AUIRLU024Z备选型号: IRLU024NPBF

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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 漏源电压 (Vdss)
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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • JESD-609代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    AUIRLU024Z
    Infineon Technologies
    MOSFET N CH 55V 16A SOT 223
    13 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    3
    SILICON
    16A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2013
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    AVALANCHE RATED, ULTRA LOW RESISTANCE
    SINGLE
    未说明
    未说明
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    35W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    58m Ω @ 9.6A, 10V
    3V @ 250μA
    380pF @ 25V
    9.9nC @ 5V
    55V
    ±16V
    16A
    16V
    0.058Ohm
    64A
    55V
    25 mJ
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLU024NPBF
    Infineon Technologies
    Mosfet, Power; N-ch; Vdss 55V; Rds(on) 0.065 Ohm; Id 17A; I-pak (TO-251AA); Pd 45W
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    3
    SILICON
    17A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2000
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED
    -
    260
    30
    -
    增强型MOSFET
    45W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    65m Ω @ 10A, 10V
    2V @ 250μA
    480pF @ 25V
    15nC @ 5V
    -
    ±16V
    17A
    16V
    -
    72A
    -
    68 mJ
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    e3
    65mOhm
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    55V
    17A
    Single
    7.1 ns
    74ns
    29 ns
    2V
    55V
    55V
    2 V
    6.22mm
    6.7056mm
    2.3876mm
    无SVHC
    无
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