Infineon Technologies IRLU024ZPBF

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

引脚数

3

供应商器件包装

I-PAK

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

16A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

35W Tc

Turn Off Delay Time

19 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2004

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终端

通孔

电阻

58MOhm

最高工作温度

175°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

55V

额定电流

16A

元素配置

Single

功率耗散

35mW

接通延迟时间

8.2 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

58mOhm @ 9.6A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

380pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

9.9nC @ 5V

上升时间

43ns

漏源电压 (Vdss)

55V

Vgs（最大值）

±16V

下降时间（典型值）

16 ns

连续放电电流(ID)

16A

栅极至源极电压(Vgs)

16V

漏源击穿电压

55V

双电源电压

55V

输入电容

380pF

漏源电阻

58mOhm

最大rds

58 mΩ

栅源电压

3 V

高度

6.22mm

长度

6.7056mm

宽度

2.3876mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅