AUIRLU3114Z备选型号: AUIRFU8401
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级(Eas)
- RoHS状态
- 引脚数
- 通道数量
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
- MOSFET NCH 40V 130A IPAK26 Weeks通孔通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AASILICON130A Tc2.5V @ 100μA-55°C~175°C TJTubeAutomotive, AEC-Q101, HEXFET®2015e3活跃1 (Unlimited)3EAR99Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrierAVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ULTRA-LOW RESISTANCESINGLE26030R-PSIP-T3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING4.9m Ω @ 42A, 10V3810pF @ 25V56nC @ 4.5V40V±16V130A42A0.0065Ohm500A40V260 mJROHS3 Compliant--------------
- MOSFET N-CH 40V 100A IPAK26 Weeks通孔通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA-100A Tc3.9V @ 500μA-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2013-活跃1 (Unlimited)-EAR99---------N-Channel-4.25m Ω @ 60A, 10V2200pF @ 25V63nC @ 10V40V±20V100A-----ROHS3 Compliant31Single79W7.9 ns34ns24 ns20V6.22mm6.73mm2.39mm无SVHC无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | AUIRFU4104 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | Trans MOSFET N-CH 40V 119A 3-Pin(3 Tab) IPAK Tube | 对比 |
![]() | IRLU7833PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 30V 140A I-PAK | 对比 |
| NTD4804NA-1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 30V 14.5A IPAK | 对比 |





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