Infineon Technologies AUIRFU4104

触点镀层

Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

42A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

140W Tc

Turn Off Delay Time

37 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2010

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

附加功能

AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

140W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

17 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

5.5m Ω @ 42A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2950pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

89nC @ 10V

上升时间

69ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

36 ns

连续放电电流(ID)

119A

阈值电压

2V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

42A

漏极-源极导通最大电阻

0.0055Ohm

漏源击穿电压

40V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

480A

高度

7.49mm

长度

6.73mm

宽度

2.39mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准