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首页 全部分类 AUIRLZ24NSTRL vs FQB20N06LTM

AUIRLZ24NSTRL备选型号: FQB20N06LTM

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  • 供应商器件包装
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  • 额定电流
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    AUIRLZ24NSTRL
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 55V D2-PAK AUTO
    13 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    18A Tc
    2V @ 250μA
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2015
    HEXFET®
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    未说明
    未说明
    N-Channel
    60m Ω @ 11A, 10V
    480pF @ 25V
    15nC @ 5V
    55V
    ±16V
    18A
    ROHS3 Compliant
    -
    -
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    -
    -
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    -
  • ON Semiconductor
    FQB20N06LTM
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 60V 21A D2PAK
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    5V 10V
    2.5V @ 250μA
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2001
    QFET®
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    N-Channel
    55mOhm @ 10.5A, 10V
    630pF @ 25V
    13nC @ 5V
    60V
    ±20V
    21A
    符合RoHS标准
    D2PAK (TO-263AB)
    175°C
    -55°C
    60V
    21A
    Single
    3.75W
    165ns
    70 ns
    20V
    60V
    630pF
    55mOhm
    55 mΩ
    无铅
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FQB20N06LTM FQB20N06LTM ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET N-CH 60V 21A D2PAK 对比