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首页 全部分类 AUIRLZ24NSTRL vs IRF9Z24NSPBF

AUIRLZ24NSTRL备选型号: IRF9Z24NSPBF

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  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • RoHS状态
  • 引脚数
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  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 双电源电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    AUIRLZ24NSTRL
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 55V D2-PAK AUTO
    13 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    18A Tc
    2V @ 250μA
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2015
    HEXFET®
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    未说明
    未说明
    N-Channel
    60m Ω @ 11A, 10V
    480pF @ 25V
    15nC @ 5V
    55V
    ±16V
    18A
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF9Z24NSPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    1
    4V @ 250μA
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2005
    HEXFET®
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    EAR99
    260
    30
    P-Channel
    175m Ω @ 7.2A, 10V
    350pF @ 25V
    19nC @ 10V
    -
    ±20V
    -12A
    ROHS3 Compliant
    3
    SILICON
    e3
    2
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    45W
    DRAIN
    13 ns
    SWITCHING
    55ns
    37 ns
    -4V
    20V
    -55V
    48A
    55V
    96 mJ
    -4 V
    4.83mm
    10.67mm
    10.54mm
    无SVHC
    无
    无铅
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