AUIRS21811STR备选型号: NCP5181DR2G
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- JESD-609代码
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- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 终端形式
- 功能数量
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- 基本部件号
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- 电源电流
- 功率耗散
- 输出电流
- 传播延迟
- 输入类型
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 上升/下降时间(Typ)
- 信道型
- 驱动器数量
- 闸门类型
- 峰值输出电流(源极,漏极)
- 内置保护器
- 高压侧电压-最大值(自举)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 无铅代码
- 终端
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 最大电源电流
- 无卤素
- 差分输出
- 输入特性
- 接口IC类型
- IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8SOIC17 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8Half-Bridge-40°C~150°C TJTape & Reel (TR)2000e3活跃3 (168 Hours)8EAR99Matte Tin (Sn)625mW10V~20VDUAL鸥翼115VAUIRS21811S20V2.3A15V130μA625mW1.9A230 nsNon-Inverting35 ns60ns35 ns60ns 35ns MaxIndependent2IGBT, N-Channel MOSFET1.9A 2.3ATRANSIENT; UNDER VOLTAGE600V1.4986mm4.9784mm3.9878mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅-----------
- IC MOSFET DRVR HIGH VOLT 8-SOIC12 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8Half-Bridge-40°C~150°C TJTape & Reel (TR)2006e3活跃1 (Unlimited)8EAR99Tin (Sn)178mW10V~20VDUAL鸥翼115VNCP5181620.3V2.2A15V6.5mA178mW2.2A170 nsNon-Inverting170 ns60ns40 ns40ns 20nsIndependent2N-Channel MOSFET1.4A 2.2A-600V1.5mm5mm4mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)yesSMD/SMT2604086.5mA无卤素NOSTANDARDLINE DRIVER
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MCP14E8-E/SN | Microchip Technology | PMIC - 栅极驱动器 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MICROCHIP - MCP14E8-E/SN - MOSFET DRIVER, SOIC-8 | 对比 |
| NCP5181DR2G | ON Semiconductor | PMIC - 栅极驱动器 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | IC MOSFET DRVR HIGH VOLT 8-SOIC | 对比 |




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