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首页 全部分类 BAS116LP3-7 vs 1SS361LP3-7

BAS116LP3-7备选型号: 1SS361LP3-7

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  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 底架
  • 安装类型
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  • 引脚数
  • 二极管元件材料
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • HTS代码
  • 额定功率
  • 最大功率耗散
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 速度
  • 二极管类型
  • 反向泄漏电流@ Vr
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
  • 正向电流
  • 工作温度 - 结点
  • 最大浪涌电流
  • 平均整流电流（Io）
  • 正向电压
  • 最大反向电压（DC）
  • 平均整流电流
  • 反向恢复时间
  • 峰值反向电流
  • 最大重复反向电压(Vrrm)
  • 电容@Vr, F
  • 峰值非恢复性浪涌电流
  • 恢复时间
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 输出电流-最大值
  • 辐射硬化
  • Diodes Incorporated
    BAS116LP3-7
    Diodes Incorporated
    DIODE GEN PURP 85V 215MA 2DFN
    19 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    0201 (0603 Metric)
    2
    SILICON
    1
    Tape & Reel (TR)
    2017
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    150°C
    -65°C
    8541.10.00.70
    250mW
    250mW
    BOTTOM
    无铅
    260
    40
    BAS116
    2
    Single
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    10nA @ 75V
    1.35V @ 150mA
    215mA
    -65°C~150°C
    4A
    215mA DC
    1.15V
    85V
    215mA
    3 μs
    500nA
    85V
    3pF @ 0V 1MHz
    4A
    120 ns
    645μm
    650μm
    345μm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    1SS361LP3-7
    Diodes Incorporated
    DIODE GEN PURP 80V 100MA 2DFN
    19 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    0201 (0603 Metric)
    2
    SILICON
    1
    Tape & Reel (TR)
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    150°C
    -65°C
    8541.10.00.70
    250mW
    -
    BOTTOM
    -
    260
    40
    1SS361
    2
    Single
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    Standard
    1μA @ 80V
    1.23V @ 100mA
    100mA
    -65°C~150°C
    -
    -
    1.23V
    80V
    100mA
    4 ns
    1μA
    85V
    3pF @ 0V 1MHz
    2A
    -
    645μm
    650μm
    345μm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    0.1A
    无
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