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BAS21M3T5G备选型号: BAW56M3T5G

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  • 触点镀层
  • 安装类型
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  • 二极管元件材料
  • 包装
  • JESD-609代码
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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 最高工作温度
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  • HTS代码
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 引脚数量
  • 元素配置
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  • 二极管类型
  • 反向泄漏电流@ Vr
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
  • 正向电流
  • 最大反向漏电电流
  • 工作温度 - 结点
  • 输出电流-最大值
  • 无卤素
  • 平均整流电流（Io）
  • 正向电压
  • 最大反向电压（DC）
  • 平均整流电流
  • 反向恢复时间
  • 峰值反向电流
  • 最大重复反向电压(Vrrm)
  • 电容@Vr, F
  • 峰值非恢复性浪涌电流
  • 恢复时间
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 已出版
  • 基本部件号
  • 功率耗散
  • 二极管配置
  • ON Semiconductor
    BAS21M3T5G
    ON Semiconductor
    DIODE GEN PURP 250V 200MA SOT723
    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
    8 Weeks
    Tin
    表面贴装
    SOT-723
    YES
    3
    SILICON
    1
    Tape & Reel (TR)
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    150°C
    -55°C
    8541.10.00.70
    DUAL
    FLAT
    3
    Single
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    Standard
    100nA @ 200V
    1.25V @ 200mA
    200mA
    100nA
    -55°C~150°C
    0.2A
    无卤素
    200mA DC
    1.25V
    250V
    200mA
    50 ns
    100nA
    250V
    5pF @ 0V 1MHz
    625mA
    50 ns
    550μm
    1.25mm
    850μm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    BAW56M3T5G
    ON Semiconductor
    DIODE ARRAY GP 75V 200MA SOT723
    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
    2 Weeks
    Tin
    表面贴装
    SOT-723
    YES
    3
    SILICON
    2
    Tape & Reel (TR)
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    150°C
    -55°C
    8541.10.00.70
    DUAL
    FLAT
    3
    共阳极
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    Standard
    2.5μA @ 70V
    1.25V @ 150mA
    200mA
    2.5μA
    -55°C~150°C
    0.2A
    无卤素
    200mA DC
    1.25V
    75V
    200mA
    6 ns
    -
    75V
    -
    -
    6 ns
    550μm
    1.25mm
    850μm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    2009
    BAW56
    640mW
    1 Pair Common Anode
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