BAS21SLT1G备选型号: BAS21LT1G
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 二极管元件材料
- 包装
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- HTS代码
- 电容量
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- 元素配置
- 速度
- 二极管类型
- 反向泄漏电流@ Vr
- 功率耗散
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
- 正向电流
- 最大反向漏电电流
- 工作温度 - 结点
- 最大浪涌电流
- 输出电流-最大值
- 无卤素
- 平均整流电流(Io)
- 正向电压
- 最大反向电压(DC)
- 平均整流电流
- 反向恢复时间
- 峰值反向电流
- 最大重复反向电压(Vrrm)
- 峰值非恢复性浪涌电流
- 二极管配置
- 最大正向浪涌电流(Ifsm)
- 恢复时间
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 底架
- 已出版
- 输出电流
- 电容@Vr, F
- DIODE ARRAY GP 250V 225MA SOT23ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)4 WeeksTin表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3YES3SILICON2Cut Tape (CT)e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR99150°C-55°C8541.10.00.705pFDUAL鸥翼260225mA40BAS21S3SingleFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)Standard100nA @ 200V300mW1.25V @ 200mA225mA1μA-55°C~150°C625mA0.225A无卤素225mA DC1.25V250V225mA50 ns100μA250V625mA1 Pair Series Connection625mA50 ns1.01mm3.04mm1.4mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅----
- DIODE GEN PURP 250V 200MA SOT23ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)4 WeeksTin表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3-3SILICON250VCut Tape (CT)e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR99150°C-55°C8541.10.00.705pF-鸥翼260200mA40BAS21L3DualSmall Signal =< 200mA (Io), Any SpeedStandard100nA @ 200V385mW1.25V @ 200mA200mA100nA-55°C~150°C625mA-无卤素200mA DC1.25V250V200mA50 ns100nA250V625mA-625mA50 ns940μm2.9mm1.3mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅表面贴装2004200mA5pF @ 0V 1MHz
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| BAS16LT3G | ON Semiconductor | 二极管 - 整流器 - 单 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3 | 对比 | |
![]() | BAS19-7-F | Diodes Incorporated | 二极管 - 整流器 - 单 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | DIODE GP 100V 200MA SOT23-3 | 对比 |
| BAS21LT3G | ON Semiconductor | 二极管 - 整流器 - 单 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | DIODE GEN PURP 250V 200MA SOT23 | 对比 |



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