ON Semiconductor BAS21SLT1G
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BAS21SLT1G
1807-BAS21SLT1G
二极管 - 整流器 - 阵列
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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DIODE ARRAY GP 250V 225MA SOT23
--最小包装量--
BAS21SLT1G详情
ON Semiconductor BAS21SLT1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
工厂交货时间
4 Weeks
触点镀层
Tin
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
表面安装
YES
引脚数
3
二极管元件材料
SILICON
Number of Elements
2
包装
Cut Tape (CT)
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
HTS代码
8541.10.00.70
电容量
5pF
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
225mA
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
BAS21S
引脚数量
3
元素配置
Single
速度
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
二极管类型
Standard
反向泄漏电流@ Vr
100nA @ 200V
功率耗散
300mW
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.25V @ 200mA
正向电流
225mA
最大反向漏电电流
1μA
工作温度 - 结点
-55°C~150°C
最大浪涌电流
625mA
输出电流-最大值
0.225A
无卤素
无卤素
平均整流电流(Io)
225mA DC
正向电压
1.25V
最大反向电压(DC)
250V
平均整流电流
225mA
反向恢复时间
50 ns
峰值反向电流
100μA
最大重复反向电压(Vrrm)
250V
峰值非恢复性浪涌电流
625mA
二极管配置
1 Pair Series Connection
最大正向浪涌电流(Ifsm)
625mA
恢复时间
50 ns
高度
1.01mm
长度
3.04mm
宽度
1.4mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BAS21SLT1G拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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