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首页 全部分类 BAV19W-7-F vs MBR2H200SFT1G

BAV19W-7-F备选型号: MBR2H200SFT1G

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  • 输出电流
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  • 正向电流
  • 工作温度 - 结点
  • 最大浪涌电流
  • 正向电压
  • 最大反向电压（DC）
  • 平均整流电流
  • 反向恢复时间
  • 峰值反向电流
  • 最大重复反向电压(Vrrm)
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  • 峰值非恢复性浪涌电流
  • 恢复时间
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 反向电压
  • 最大正向浪涌电流（Ifsm）
  • 最大结点温度（Tj）
  • 达到SVHC
  • Diodes Incorporated
    BAV19W-7-F
    Diodes Incorporated
    DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD123
    19 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    SOD-123
    2
    10.007382mg
    SILICON
    1
    Tape & Reel (TR)
    2008
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    150°C
    -65°C
    HIGH RELIABILITY
    8541.10.00.70
    5pF
    250mW
    100V
    DUAL
    鸥翼
    260
    200mA
    40
    BAV19W
    2
    Single
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    Standard
    100nA @ 100V
    250mW
    200mA
    1.25V @ 200mA
    200mA
    -65°C~150°C
    2.5A
    1.25V
    100V
    200mA
    50 ns
    15μA
    100V
    5pF @ 0V 1MHz
    2.5A
    50 ns
    1.35mm
    2.85mm
    1.7mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MBR2H200SFT1G
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR - MBR2H200SFT1G - Schottky Rectifier, 200 V, 2 A, Single, SOD-123FL, 2 Pins, 940 mV
    6 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    SOD-123F
    2
    10.290877mg
    -
    -
    Tape & Reel (TR)
    2014
    -
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    150°C
    -55°C
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    未说明
    -
    未说明
    -
    -
    Single
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Schottky
    200μA @ 200V
    -
    -
    940mV @ 2A
    2A
    -55°C~150°C
    -
    940mV
    200V
    2A
    -
    200μA
    200V
    -
    -
    -
    980μm
    2.9mm
    1.8mm
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    200V
    30A
    150°C
    无SVHC
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