BAV21,143备选型号: BAV19

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 二极管元件材料
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • HTS代码
  • 终端形式
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 速度
  • 二极管类型
  • 反向泄漏电流@ Vr
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
  • 箱体转运
  • 正向电流
  • 工作温度 - 结点
  • 平均整流电流(Io)
  • 正向电压
  • 最大反向电压(DC)
  • 平均整流电流
  • 反向恢复时间
  • 峰值反向电流
  • 最大重复反向电压(Vrrm)
  • 电容@Vr, F
  • 峰值非恢复性浪涌电流
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 供应商器件包装
  • 电容量
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 极性
  • 功率耗散
  • 输出电流
  • 最大浪涌电流
  • 电压 - 直流逆向(Vr)(最大值)
  • 反向电压
  • 恢复时间
  • 无铅
  • Nexperia USA Inc.
    DIODE GEN PURP 200V 250MA ALF2
    6 Weeks
    Tin
    通孔
    通孔
    DO-204AH, DO-35, Axial
    2
    SILICON
    1
    Tape & Box (TB)
    2007
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    175°C
    -65°C
    8541.10.00.70
    WIRE
    BAV21
    2
    Single
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    100nA @ 200V
    1.25V @ 200mA
    ISOLATED
    250mA
    175°C Max
    250mA DC
    1.25V
    200V
    250mA
    50 ns
    100nA
    250V
    5pF @ 0V 1MHz
    9A
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    DIODE GEN PURP 120V 200MA DO35
    -
    -
    通孔
    通孔
    DO-204AH, DO-35, Axial
    2
    -
    -
    Bulk
    2016
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    175°C
    -65°C
    -
    -
    BAV19
    -
    Single
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    Standard
    100nA @ 100V
    1.25V @ 200mA
    -
    -
    175°C Max
    200mA
    1.25V
    120V
    200mA
    50ns
    100nA
    -
    5pF @ 0V 1MHz
    4A
    -
    符合RoHS标准
    DO-35
    5pF
    120V
    200mA
    Standard
    500mW
    200mA
    4A
    120V
    120V
    50 ns
    无铅
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