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首页 全部分类 BB131,135 vs RB751S40T5G

BB131,135备选型号: RB751S40T5G

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  • 电容@Vr, F
  • 电压 - 峰值反向（最大值）
  • 源Url状态检查日期
  • 电容比
  • 电容比环境
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 底架
  • 二极管元件材料
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 最大功率耗散
  • 端子位置
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 速度
  • 反向泄漏电流@ Vr
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
  • 正向电流
  • 工作温度 - 结点
  • 输出电流-最大值
  • 平均整流电流（Io）
  • 正向电压
  • 最大反向电压（DC）
  • 平均整流电流
  • 峰值反向电流
  • 最大重复反向电压(Vrrm)
  • 最大正向浪涌电流（Ifsm）
  • 反向电压(直流电)
  • 无铅
  • NXP USA Inc.
    BB131,135
    NXP USA Inc.
    DIODE VHF VAR CAP 30V SOD323
    13 Weeks
    SC-76, SOD-323
    表面贴装
    1998
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~125°C TJ
    活跃
    1 (Unlimited)
    BB131
    2
    Single
    1.055pF @ 28V 1MHz
    30V
    2013-06-14 00:00:00
    16
    C0.5/C28
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
  • ON Semiconductor
    RB751S40T5G
    ON Semiconductor
    DIODE SCHOTTKY 40V 30MA SOD523
    22 Weeks
    SC-79, SOD-523
    表面贴装
    2007
    Tape & Reel (TR)
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    Schottky
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    表面贴装
    SILICON
    1
    e3
    yes
    2
    Tin (Sn)
    150°C
    -55°C
    200mW
    DUAL
    FLAT
    R-PDSO-F2
    Single
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    500nA @ 30V
    370mV @ 1mA
    30mA
    -55°C~150°C
    0.03A
    30mA DC
    280mV
    40V
    30mA
    300nA
    40V
    500mA
    30V
    无铅
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