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首页 全部分类 BC846BWT1G vs PDTC144TE,115

BC846BWT1G备选型号: PDTC144TE,115

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  • 极性/通道类型
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
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  • 转换频率
  • 最大击穿电压
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 基本部件号
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 功率 - 最大
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 最大耗散功率(Abs)
  • 电阻基(R1)
  • ON Semiconductor
    BC846BWT1G
    ON Semiconductor
    TRANS NPN 65V 0.1A SC-70
    ACTIVE (Last Updated: 14 hours ago)
    5 Weeks
    Tin
    表面贴装
    SC-70, SOT-323
    YES
    3
    SILICON
    65V
    600mV
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2005
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    65V
    150mW
    DUAL
    鸥翼
    260
    100mA
    100MHz
    40
    3
    Single
    150mW
    AMPLIFIER
    无卤素
    100MHz
    NPN
    NPN
    65V
    100mA
    200 @ 2mA 5V
    15nA ICBO
    600mV @ 5mA, 100mA
    100MHz
    65V
    80V
    6V
    900μm
    2.2mm
    1.35mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • NXP USA Inc.
    PDTC144TE,115
    NXP USA Inc.
    TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75
    -
    -
    -
    表面贴装
    SC-75, SOT-416
    YES
    -
    SILICON
    100mA
    -
    -
    Tape & Reel (TR)
    2009
    e3
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    DUAL
    鸥翼
    260
    -
    -
    40
    3
    -
    -
    SWITCHING
    -
    -
    NPN
    NPN - Pre-Biased
    -
    -
    100 @ 1mA 5V
    1μA
    150mV @ 500μA, 10mA
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    Tin (Sn)
    BUILT-IN BIAS RESISTOR
    PDTC144
    R-PDSO-G3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
    150mW
    50V
    0.15W
    47 k Ω
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