BC847BPN,135备选型号: SBC847CDW1T1G
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- JESD-609代码
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- 终止次数
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- 端子表面处理
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- 基本部件号
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- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 增益带宽积
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 转换频率
- 最大击穿电压
- 集电极基极电压(VCBO)
- 发射极基极电压 (VEBO)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 无铅代码
- 配置
- 无卤素
- 最高频率
- 频率转换
- 高度
- 长度
- 宽度
- TRANS NPN/PNP 45V 0.1A 6TSSOP4 Weeks表面贴装表面贴装6-TSSOP, SC-88, SOT-3636SILICON45V150°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q1012009e3活跃1 (Unlimited)6EAR99Tin (Sn)300mW鸥翼100MHzBC847BPN6NPN, PNP45VDual1A400mW300mWSWITCHING100MHzNPN, PNP45V100mA200 @ 2mA 5V15nA ICBO300mV @ 5mA, 100mA100MHz45V50V5V无ROHS3 Compliant无铅----------
- Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 6-Pin SC-88 T/R8 Weeks表面贴装表面贴装6-TSSOP, SC-88, SOT-3636SILICON45V-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q1012007e3活跃1 (Unlimited)6EAR99Tin (Sn)380mW鸥翼-BC847CD6NPN-----AMPLIFIER-2 NPN (Dual)45V100mA420 @ 2mA 5V15nA ICBO600mV @ 5mA, 100mA100MHz-50V6V无ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)600mVyesSEPARATE, 2 ELEMENTS无卤素100MHz100MHz1mm2.2mm1.35mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BC847BS-7-F | Diodes Incorporated | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | TRANSISTOR, NPN/NPN, SOT363 | 对比 |
![]() | BC847PN-7-F | Diodes Incorporated | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT363 | 对比 |
| RN4902,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor | 对比 |




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