Diodes Incorporated BC847BS-7-F
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BC847BS-7-F
671-BC847BS-7-F
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
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TRANSISTOR, NPN/NPN, SOT363
--最小包装量--
BC847BS-7-F详情
Diodes Incorporated BC847BS-7-F重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
15 Weeks
包装/外壳
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
安装类型
表面贴装
底架
表面贴装
触点镀层
Tin
引脚数
6
质量
6.010099mg
晶体管元件材料
SILICON
hFEMin
200
Number of Elements
2
Collector-Emitter Saturation Voltage
100mV
Collector-Emitter Breakdown Voltage
45V
操作温度
-65°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2007
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
附加功能
HIGH RELIABILITY
最大功率耗散
200mW
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
频率
100MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
BC847BS
引脚数量
6
极性
NPN
电压
45V
元素配置
Dual
电流
1A
功率耗散
200mW
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
100MHz
晶体管类型
2 NPN (Dual)
集电极发射器电压(VCEO)
45V
最大集电极电流
100mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
200 @ 2mA 5V
最大集极截止电流
20nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
400mV @ 5mA, 100mA
转换频率
100MHz
最大击穿电压
60V
集电极基极电压(VCBO)
50V
发射极基极电压 (VEBO)
6V
最大结点温度(Tj)
150°C
宽度
1.35mm
长度
2.2mm
高度
1.1mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BC847BS-7-F拓展信息
Diodes Incorporated
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