BC850CE6327HTSA1备选型号: DTC144GKAT146
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 频率
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 资历状况
- 配置
- 功率耗散
- 晶体管应用
- 无卤素
- 极性/通道类型
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 转换频率
- 最大击穿电压
- 集电极基极电压(VCBO)
- 发射极基极电压 (VEBO)
- RoHS状态
- 无铅
- 端子表面处理
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- HTS代码
- 引脚数量
- 最大输出电流
- 工作电源电压
- 极性
- 元素配置
- 最小直流增益(hFE)
- 连续集电极电流
- 辐射硬化
- Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/RTin表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-33SILICON45V150°C TJTape & Reel (TR)2011e3yes不用于新设计1 (Unlimited)3EAR99低噪音45V330mWDUAL鸥翼未说明100mA250MHz未说明BC850不合格SINGLE330mWSWITCHING不含卤素NPNNPN45V100mA420 @ 2mA 5V15nA ICBO600mV @ 5mA, 100mA250MHz45V50V6VROHS3 Compliant无铅------------
- TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3-表面贴装-TO-236-33-50V-Tape & Reel (TR)2009e1yes不用于新设计1 (Unlimited)3EAR99BUILT-IN BIAS RESISTOR50V200mWDUAL鸥翼260100mA-10---200mWSWITCHING---50V100mA---250MHz50V-5VROHS3 Compliant无铅Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)150°C-55°C8541.21.00.753100mA50VNPNSingle68100mA无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| RN1404S,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Bipolar Transistors - Pre-Biased 50V VCBO 50V VCEO 100mA IC 200mW 4.7k | 对比 | |
| DTC144GKAT146 | ROHM Semiconductor | 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 | TO-236-3 | TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 | 对比 | |
| DTC125TKAT146 | ROHM Semiconductor | 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 | 对比 |



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