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BC858BWT106备选型号: BC856BW-7-F
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- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- HTS代码
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 增益带宽积
- 极性/通道类型
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
- 转换频率
- 集电极基极电压(VCBO)
- 发射极基极电压 (VEBO)
- 连续集电极电流
- RoHS状态
- 无铅
- 引脚数
- 供应商器件包装
- 质量
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 频率
- 极性
- 功率耗散
- 功率 - 最大
- 电压 - 集射极击穿（最大值）
- 最高频率
- 最大击穿电压
- 频率转换
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
TRANS PNP 30V 0.1A SOT-32313 WeeksCopper, Silver, Tin表面贴装表面贴装SC-70, SOT-323SILICON30V-600mV150°C TJTape & Reel (TR)2005e1yes活跃1 (Unlimited)3EAR99锡银铜8541.21.00.75-30V350mWDUAL鸥翼260-100mA10BC85*3R-PDSO-G3不合格Single250MHzPNPPNP650mV100mA210 @ 2mA 5V100nA ICBO650mV @ 5mA, 100mA250MHz-30V-5V-100mAROHS3 Compliant无铅------------------
TRANS PNP 65V 0.1A SC70-319 WeeksTin表面贴装表面贴装SC-70, SOT-323-65V-650mV-65°C~150°C TJTape & Reel (TR)2005--活跃1 (Unlimited)-----65V200mW----100mA-BC856BW---Single200MHz-PNP65V100mA220 @ 2mA 5V15nA ICBO650mV @ 5mA, 100mA-80V5V-ROHS3 Compliant无铅3SOT-3236.010099mg150°C-65°C200MHzPNP200mW200mW65V200MHz65V200MHz1mm2.2mm1.35mm无SVHC无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| BC856BW-7-F | Diodes Incorporated | 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | SC-70, SOT-323 | TRANS PNP 65V 0.1A SC70-3 | 对比 |
| 2DB1694-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | SC-70, SOT-323 | DIODES INC. 2DB1694-7 Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 30 V, 300 MHz, 300 mW, 500 mA, 270 hFE | 对比 |
| DTA123YUAT106 | ROHM Semiconductor | 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置 | SC-70, SOT-323 | TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3 | 对比 |
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