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BCM857BV-7备选型号: BC847BVN-7
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- 最大击穿电压
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- 功率耗散
- 增益带宽积
- 转换频率
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- 发射极基极电压 (VEBO)
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- 长度
- 宽度
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- 辐射硬化
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TRANS 2PNP 45V 0.1A SOT56319 Weeks表面贴装表面贴装SOT-563, SOT-666SOT-56345V-65°C~150°C TJTape & Reel (TR)2015活跃1 (Unlimited)357mW357mW2 PNP (Dual)400mV100mA200 @ 2mA 5V15nA ICBO400mV @ 5mA, 100mA45V45V175MHzROHS3 Compliant------------------------------ Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR COMP.19 Weeks表面贴装表面贴装SOT-563, SOT-666-45V-65°C~150°C TJTape & Reel (TR)2012活跃1 (Unlimited)150mW-NPN, PNP45V100mA200 @ 2mA 5V / 220 @ 2mA 5V15nA ICBO600mV @ 5mA, 100mA / 650mV @ 5mA, 100mA-45V300MHz 200MHzROHS3 CompliantTin63.005049mgSILICON600mVe3yes6EAR99FLAT260100mA300MHz40BC847BVN6NPN, PNPDual150mW300MHz300MHz50V6V600μm1.6mm1.2mm无SVHC无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| BC847BVN-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列 | SOT-563, SOT-666 | Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR COMP. | 对比 |
| DDC142TH-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置 | SOT-563, SOT-666 | Bipolar Transistors - Pre-Biased 150MW 0.47K | 对比 |
| DDC122LH-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置 | SOT-563, SOT-666 | TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT563 | 对比 |
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