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首页 全部分类 BCM857BV-7 vs RN4902FE,LF(CT

BCM857BV-7备选型号: RN4902FE,LF(CT

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  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 最大击穿电压
  • 频率转换
  • RoHS状态
  • 质量
  • 极性
  • 通道数量
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 电阻基(R1)
  • 连续集电极电流
  • 电阻-发射极基极(R2)
  • Diodes Incorporated
    BCM857BV-7
    Diodes Incorporated
    TRANS 2PNP 45V 0.1A SOT563
    19 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-563, SOT-666
    SOT-563
    45V
    -65°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2015
    活跃
    1 (Unlimited)
    357mW
    357mW
    2 PNP (Dual)
    400mV
    100mA
    200 @ 2mA 5V
    15nA ICBO
    400mV @ 5mA, 100mA
    45V
    45V
    175MHz
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    RN4902FE,LF(CT
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-563, SOT-666
    ES6
    50V
    -
    Cut Tape (CT)
    2014
    活跃
    1 (Unlimited)
    100mW
    100mW
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
    300mV
    100mA
    50 @ 10mA 5V
    500nA
    300mV @ 250μA, 5mA
    50V
    50V
    250MHz 200MHz
    符合RoHS标准
    3.005049mg
    NPN, PNP
    2
    10V
    10kOhms
    100mA
    10kOhms
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