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首页 全部分类 BCR198E6433HTMA1 vs BCW30

BCR198E6433HTMA1备选型号: BCW30

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  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • Infineon Technologies
    BCR198E6433HTMA1
    Infineon Technologies
    Trans Digital BJT PNP 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    Tin
    3
    1
    Tape & Reel (TR)
    2004
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    150°C
    -65°C
    BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
    -50V
    200mW
    DUAL
    鸥翼
    -70mA
    BCR198
    PNP
    Single
    SWITCHING
    PNP - Pre-Biased
    50V
    100mA
    70 @ 5mA 5V
    100nA ICBO
    300mV @ 500μA, 10mA
    190MHz
    190MHz
    47 k Ω
    47 k Ω
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    BCW30
    ON Semiconductor
    TRANS PNP 32V 0.5A SOT-23
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    -
    3
    32V
    Tape & Reel (TR)
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    150°C
    -55°C
    -
    -32V
    350mW
    -
    -
    -500mA
    BCW30
    PNP
    Single
    -
    PNP
    32V
    500mA
    215 @ 2mA 5V
    100nA ICBO
    300mV @ 500μA, 10mA
    -
    -
    -
    -
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    SOT-23-3
    30mg
    -300mV
    -55°C~150°C TJ
    350mW
    350mW
    32V
    -32V
    -5V
    970μm
    2.9mm
    1.3mm
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BCW33 BCW33 ON Semiconductor 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TRANS NPN 32V 0.5A SOT-23 对比