ON Semiconductor BCW30

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

供应商器件包装

SOT-23-3

质量

30mg

Collector-Emitter Breakdown Voltage

32V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-300mV

Current-Collector (Ic) (Max)

500mA

Number of Elements

1

hFEMin

215

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

-32V

最大功率耗散

350mW

额定电流

-500mA

基本部件号

BCW30

极性

PNP

元素配置

Single

功率耗散

350mW

功率 - 最大

350mW

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

32V

最大集电极电流

500mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

215 @ 2mA 5V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 500μA, 10mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

32V

集电极基极电压(VCBO)

-32V

发射极基极电压 (VEBO)

-5V

高度

970μm

长度

2.9mm

宽度

1.3mm

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅