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首页 全部分类 BCR523E6327HTSA1 vs 2SC2712-Y,LF

BCR523E6327HTSA1备选型号: 2SC2712-Y,LF

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  • 终止次数
  • 终端
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最高工作温度
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  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • JESD-30代码
  • 极性
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 晶体管应用
  • 无卤素
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 转换频率
  • 最大击穿电压
  • 频率转换
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 最大结点温度（Tj）
  • 电阻基(R1)
  • 电阻-发射极基极(R2)
  • 高度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 附加功能
  • Reach合规守则
  • 增益带宽积
  • 极性/通道类型
  • 连续集电极电流
  • Infineon Technologies
    BCR523E6327HTSA1
    Infineon Technologies
    Trans Digital BJT NPN 50V 500mA Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    50V
    300mV
    Tape & Reel (TR)
    2002
    e3
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    6
    SMD/SMT
    EAR99
    Tin (Sn)
    150°C
    -65°C
    50V
    330mW
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    500mA
    未说明
    BCR523
    R-PDSO-G6
    NPN
    Single
    330mW
    SWITCHING
    不含卤素
    NPN - Pre-Biased
    50V
    500mA
    70 @ 50mA 5V
    100nA ICBO
    300mV @ 2.5mA, 50mA
    100MHz
    50V
    100MHz
    50V
    5V
    150°C
    1 k Ω
    10 k Ω
    1.1mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    2SC2712-Y,LF
    Toshiba Semiconductor and Storage
    TRANS NPN 50V 0.15A S-MINI
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    -
    50V
    100mV
    Tape & Reel (TR)
    2011
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    150mW
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    -
    未说明
    2SC2712
    R-PDSO-G3
    -
    Single
    -
    AMPLIFIER
    -
    NPN
    50V
    150mA
    120 @ 2mA 6V
    100nA ICBO
    250mV @ 10mA, 100mA
    80MHz
    50V
    -
    60V
    5V
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    -
    SILICON
    125°C TJ
    低噪音
    unknown
    80MHz
    NPN
    150mA
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