Infineon Technologies BCR523E6327HTSA1

工厂交货时间

26 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Collector-Emitter Saturation Voltage

300mV

Number of Elements

1

hFEMin

70

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2002

JESD-609代码

e3

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-65°C

电压 - 额定直流

50V

最大功率耗散

330mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

500mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

BCR523

JESD-30代码

R-PDSO-G6

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

330mW

晶体管应用

SWITCHING

无卤素

不含卤素

晶体管类型

NPN - Pre-Biased

集电极发射器电压(VCEO)

50V

最大集电极电流

500mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

70 @ 50mA 5V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 2.5mA, 50mA

转换频率

100MHz

最大击穿电压

50V

频率转换

100MHz

集电极基极电压(VCBO)

50V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

最大结点温度（Tj）

150°C

电阻基(R1)

1 k Ω

电阻-发射极基极(R2)

10 k Ω

高度

1.1mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅