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首页 全部分类 BCW30T116 vs DRA2L14Y0L

BCW30T116备选型号: DRA2L14Y0L

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  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 引脚数
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 最高工作温度
  • 附加功能
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 极性
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 最大击穿电压
  • 电阻基(R1)
  • 电阻-发射极基极(R2)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • ROHM Semiconductor
    BCW30T116
    ROHM Semiconductor
    TRANS PNP 32V 0.1A SST3
    Copper, Silver, Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    SILICON
    32V
    Tape & Reel (TR)
    2016
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    8541.21.00.75
    -32V
    200mW
    DUAL
    鸥翼
    -100mA
    BCW30
    R-PDSO-G3
    不合格
    Single
    AMPLIFIER
    250MHz
    PNP
    PNP
    32V
    100mA
    250MHz
    210
    100mA
    0.3 V
    7pF
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Panasonic Electronic Components
    DRA2L14Y0L
    Panasonic Electronic Components
    Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANS W/ BLT-IN RES GL WNG 2.9x2.8mm
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    SILICON
    30V
    Tape & Reel (TR)
    2016
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    8541.21.00.95
    -
    200mW
    DUAL
    鸥翼
    -
    DRA2L14
    -
    -
    Single
    SWITCHING
    -
    -
    PNP - Pre-Biased
    -30V
    100mA
    -
    -
    -100mA
    -
    -
    符合RoHS标准
    -
    10 Weeks
    3
    -1.2V
    150°C
    BUILT IN BIAS RESISITANCE RATIO 4.7
    未说明
    unknown
    未说明
    PNP
    80 @ 5mA 10V
    500nA
    1.2V @ 330μA, 50mA
    30V
    10 k Ω
    47 k Ω
    1.1mm
    2.9mm
    1.5mm
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