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BD140G备选型号: 2N4920G

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  • 触点镀层
  • 安装类型
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  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
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  • 已出版
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  • 终止次数
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  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
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  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 端子表面处理
  • 频率
  • 无卤素
  • 增益带宽积
  • 转换频率
  • ON Semiconductor
    BD140G
    ON Semiconductor
    TRANS PNP 80V 1.5A TO225AA
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    2 Weeks
    Tin
    通孔
    TO-225AA, TO-126-3
    NO
    3
    4.535924g
    SILICON
    80V
    500mV
    -55°C~150°C TJ
    Bulk
    2001
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -80V
    1.25W
    260
    1.5A
    40
    BD140
    3
    Single
    1.25W
    AMPLIFIER
    PNP
    PNP
    80V
    1.5A
    40 @ 150mA 2V
    100nA ICBO
    500mV @ 50mA, 500mA
    100V
    5V
    6.35mm
    6.35mm
    6.35mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    2N4920G
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR - 2N4920G - TRANSISTOR, PNP, TO-126
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    2 Weeks
    -
    通孔
    TO-225AA, TO-126-3
    NO
    3
    4.535924g
    SILICON
    80V
    600mV
    -65°C~150°C TJ
    Bulk
    2004
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -80V
    30W
    260
    -3A
    40
    2N4920
    3
    Single
    30W
    SWITCHING
    PNP
    PNP
    80V
    3A
    30 @ 500mA 1V
    500μA
    600mV @ 100mA, 1A
    80V
    5V
    11.049mm
    7.7216mm
    2.667mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin (Sn)
    3MHz
    无卤素
    3MHz
    3MHz
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