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首页 全部分类 BD18HC5WEFJ-E2 vs L5150CSTR

BD18HC5WEFJ-E2备选型号: L5150CSTR

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  • 端子表面处理
  • 引脚数量
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  • 电源抑制比
  • 最小输出电压
  • 最小电流限制
  • 输出电压精度
  • 辐射硬化
  • ROHM Semiconductor
    BD18HC5WEFJ-E2
    ROHM Semiconductor
    IC REG LINEAR 1.8V 1.5A 8HTSOP-J
    9 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) Exposed Pad
    8
    -25°C~85°C
    Tape & Reel (TR)
    2008
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    TAPE AND REEL
    2.11W
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    1
    未说明
    BD18
    900μA
    1
    不合格
    8V
    1.8V
    固定式
    Positive
    启用
    1.8V
    1
    4.5V
    Over Current, Over Temperature, Soft Start
    0.6mA
    0.93V @ 1.5A
    600mV
    0.6V
    1%
    4.9mm
    3.9mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    L5150CSTR
    STMicroelectronics
    IC REG LINEAR 5V 150MA 8SO
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -40°C~150°C
    Tape & Reel (TR)
    -
    活跃
    3 (168 Hours)
    8
    EAR99
    TAPE AND REEL
    -
    DUAL
    鸥翼
    260
    1
    30
    L5150
    4.2mA
    1
    -
    40V
    5V
    固定式
    Positive
    Reset
    5V
    1
    5.6V
    Over Temperature, Short Circuit
    80μA
    0.5V @ 150mA
    500mV
    0.5V
    5%
    4.9mm
    3.9mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    e4
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    8
    150mA
    2 %
    48dB (100Hz)
    5V
    280mA
    2 %
    无
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