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首页 全部分类 BF1201WR,135 vs DMN1150UFB-7B

BF1201WR,135备选型号: DMN1150UFB-7B

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  • 增益
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  • 安装类型
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • NXP USA Inc.
    BF1201WR,135
    NXP USA Inc.
    MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT343R
    SC-82A, SOT-343
    10V
    Tape & Reel (TR)
    2000
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    30mA
    unknown
    400MHz
    BF1201
    4
    15mA
    N-Channel Dual Gate
    29dB
    1dB
    5V
    2013-06-14 00:00:00
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMN1150UFB-7B
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN
    3-UFDFN
    1.41A Ta
    Cut Tape (CT)
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    15 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    3
    SILICON
    -55°C~150°C TJ
    e4
    3
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    HIGH RELIABILITY
    BOTTOM
    260
    30
    1
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    4.1 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    150m Ω @ 1A, 4.5V
    1V @ 250μA
    106pF @ 10V
    1.5nC @ 4.5V
    34.5ns
    ±6V
    30 ns
    1.41A
    6V
    12V
    480μm
    1.08mm
    675μm
    无SVHC
    无
    无铅
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