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首页 全部分类 BF1205C,115 vs BF1210,115

BF1205C,115备选型号: BF1210,115

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  • 品牌:
  • 描述:
  • 包装/外壳
  • 表面安装
  • 晶体管元件材料
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 额定电流
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 频率
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 测试电流
  • 晶体管应用
  • 晶体管类型
  • 增益
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 场效应管技术
  • 最大耗散功率(Abs)
  • 噪声图
  • 电压-测试
  • 源Url状态检查日期
  • RoHS状态
  • HTS代码
  • NXP USA Inc.
    BF1205C,115
    NXP USA Inc.
    RF MOSFET Transistors TAPE-7 MOS-RFSS
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    YES
    SILICON
    2
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    30mA
    鸥翼
    260
    400MHz
    40
    BF1205
    6
    R-PDSO-G6
    不合格
    COMPLEX
    增强型MOSFET
    19mA
    SWITCHING
    N-Channel Dual Gate
    30dB
    0.03A
    6V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    0.18W
    1.3dB
    5V
    2013-06-14 00:00:00
    ROHS3 Compliant
    -
  • NXP USA Inc.
    BF1210,115
    NXP USA Inc.
    FET RF 6V 400MHZ 6TSSOP
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    YES
    SILICON
    2
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    30mA
    鸥翼
    260
    400MHz
    40
    -
    6
    R-PDSO-G6
    不合格
    COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS
    DUAL GATE, ENHANCEMENT MODE
    19mA
    AMPLIFIER
    N-Channel Dual Gate
    31dB
    0.03A
    6V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    0.18W
    0.9dB
    5V
    -
    ROHS3 Compliant
    8541.21.00.75
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