BF1205C,115备选型号: DMN2040LTS-13
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 包装/外壳
- 表面安装
- 晶体管元件材料
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 额定电流
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 频率
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 测试电流
- 晶体管应用
- 晶体管类型
- 增益
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- DS 击穿电压-最小值
- 场效应管技术
- 最大耗散功率(Abs)
- 噪声图
- 电压-测试
- 源Url状态检查日期
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 引脚数
- 质量
- 操作温度
- 系列
- 无铅代码
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 场效应管特性
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RF MOSFET Transistors TAPE-7 MOS-RFSS6-TSSOP, SC-88, SOT-363YESSILICON2Tape & Reel (TR)2012e3Obsolete1 (Unlimited)6EAR99Matte Tin (Sn)30mA鸥翼260400MHz40BF12056R-PDSO-G6不合格COMPLEX增强型MOSFET19mASWITCHINGN-Channel Dual Gate30dB0.03A6VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR0.18W1.3dB5V2013-06-14 00:00:00ROHS3 Compliant----------------------------
- MOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8TSSOP8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)-SILICON6.7A TaTape & Reel (TR)2009e3活跃1 (Unlimited)8EAR99Matte Tin (Sn)-鸥翼260-40-8---增强型MOSFET-SWITCHING----METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR----ROHS3 Compliant24 Weeks表面贴装表面贴装8157.991892mg-55°C~150°C TJAutomotive, AEC-Q101yes低温保持890mW890mW5.2 ns2 N-Channel (Dual) Common Drain26m Ω @ 6A, 4.5V1.2V @ 250μA570pF @ 10V5.2nC @ 4.5V13.5ns6.1 ns6.7A12V20VStandard1.025mm4.5mm3.1mm无SVHC无
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BF1216,115 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MOSFET 2N-CH 6V 30MA 6TSSOP | 对比 |
![]() | BF1210,115 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | FET RF 6V 400MHZ 6TSSOP | 对比 |





哦! 它是空的。