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BF5030WH6327XTSA1备选型号: BF904,215
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- JESD-609代码
- 零件状态
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- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 最大功率耗散
- 额定电流
- 频率
- 基本部件号
- 测试电流
- 无卤素
- 晶体管类型
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 增益
- 噪声图
- 电压-测试
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 表面安装
- 晶体管元件材料
- 终止次数
- 端子表面处理
- 附加功能
- HTS代码
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- DS 击穿电压-最小值
- 场效应管技术
- 反馈上限-最大值 (Crss)
MOSFET RF N-CH 8V 25MA SOT3436 WeeksTin表面贴装SC-82A, SOT-34341Tape & Reel (TR)2005e3Obsolete1 (Unlimited)EAR99150°C-55°C200mW25mA800MHzBF503010mA无卤素N-Channel25mA6V24dB1.3dB3V无符合RoHS标准无铅--------------------
DUAL N CH RF MOSFET, 7V, 30MA, 4-SOT-143B---TO-253-4, TO-253AA-1Tape & Reel (TR)1999e3Obsolete1 (Unlimited)EAR99---30mA200MHzBF90410mA-N-Channel Dual Gate---1dB5V-ROHS3 Compliant-YESSILICON4Tin (Sn)低噪音8541.21.00.75鸥翼260404R-PDSO-G4不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODEDUAL GATE, ENHANCEMENT MODESOURCEAMPLIFIER0.03A7VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR0.035 pF- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | BF998E6327HTSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | TO-253-4, TO-253AA | Trans RF MOSFET N-CH 12V 0.03A 4-Pin(3 Tab) SOT-143 T/R | 对比 |
 | BF999E6327HTSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH RF 20V 30MA SOT-23 | 对比 |
| BF2040WH6814XTSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | SC-82A, SOT-343 | MOSFET N-CH 8V 40MA SOT343 | 对比 |
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