Infineon Technologies BF998E6327HTSA1
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BF998E6327HTSA1
1211-BF998E6327HTSA1
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
TO-253-4, TO-253AA
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Trans RF MOSFET N-CH 12V 0.03A 4-Pin(3 Tab) SOT-143 T/R
--最小包装量--
BF998E6327HTSA1详情
Infineon Technologies BF998E6327HTSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
4 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
包装/外壳
TO-253-4, TO-253AA
引脚数
4
Number of Elements
1
Usage Level
Military grade
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2001
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
12V
最大功率耗散
200mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
额定电流
30mA
频率
45MHz
基本部件号
BF998
引脚数量
4
配置
SINGLE
通道数量
1
操作模式
DUAL GATE, DEPLETION MODE
箱体转运
SOURCE
测试电流
10mA
无卤素
不含卤素
晶体管类型
N-Channel
连续放电电流(ID)
30mA
栅极至源极电压(Vgs)
8V
增益
28dB
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.03A
输入电容
1.2pF
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
噪声图
2.8dB
高度
1mm
长度
2.9mm
宽度
1.3mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BF998E6327HTSA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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