BF998E6327HTSA1
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Infineon Technologies BF998E6327HTSA1

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型号

BF998E6327HTSA1

utmel 编号

1211-BF998E6327HTSA1

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 射频

封装

TO-253-4, TO-253AA

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans RF MOSFET N-CH 12V 0.03A 4-Pin(3 Tab) SOT-143 T/R

起订量

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BF998E6327HTSA1
BF998E6327HTSA1 Infineon Technologies Trans RF MOSFET N-CH 12V 0.03A 4-Pin(3 Tab) SOT-143 T/R

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BF998E6327HTSA1详情

Infineon Technologies BF998E6327HTSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    4 Weeks

  • 触点镀层

    Tin

  • 底架

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-253-4, TO-253AA

  • 引脚数

    4

  • Number of Elements

    1

  • Usage Level

    Military grade

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2001

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    不用于新设计

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    4

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 电压 - 额定直流

    12V

  • 最大功率耗散

    200mW

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 额定电流

    30mA

  • 频率

    45MHz

  • 基本部件号

    BF998

  • 引脚数量

    4

  • 配置

    SINGLE

  • 通道数量

    1

  • 操作模式

    DUAL GATE, DEPLETION MODE

  • 箱体转运

    SOURCE

  • 测试电流

    10mA

  • 无卤素

    不含卤素

  • 晶体管类型

    N-Channel

  • 连续放电电流(ID)

    30mA

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    8V

  • 增益

    28dB

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    0.03A

  • 输入电容

    1.2pF

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 噪声图

    2.8dB

  • 高度

    1mm

  • 长度

    2.9mm

  • 宽度

    1.3mm

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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右边的3个型号有着和Infineon Technologies & BF998E6327HTSA1相似的参数规格。

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BF998E6327HTSA1拓展信息

BF999E6433HTMA1
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Infineon Technologies

BG3130RH6327XTSA1
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PTFA212001EV4R250XTMA1
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BF1009SE6327HTSA1
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BF2030E6814HTSA1
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BG 3230 E6327
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PTFA190451EV4XWSA1
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BF2040E6814HTSA1
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PTFA192401FV4XWSA1
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BF888H6327XTSA1
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