BF720,115备选型号: SMUN5211T1G
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 频率
- 基本部件号
- 引脚数量
- 元素配置
- 功率耗散
- 箱体转运
- 正向电流
- 晶体管应用
- 增益带宽积
- 正向电压
- 极性/通道类型
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- 最大重复反向电压(Vrrm)
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 转换频率
- 最大击穿电压
- 集电极基极电压(VCBO)
- 发射极基极电压 (VEBO)
- 最大正向浪涌电流(Ifsm)
- VCEsat-最大值
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 无铅代码
- 端子表面处理
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 附加功能
- 参考标准
- 极性
- 无卤素
- 电阻基(R1)
- 连续集电极电流
- 电阻-发射极基极(R2)
- TRANS NPN 300V 0.1A SOT2234 WeeksTin表面贴装表面贴装TO-261-4, TO-261AA44.535924gSILICON300V150°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q1012009e3活跃1 (Unlimited)4EAR991.2WDUAL鸥翼60MHzBF7204Single1.2WCOLLECTOR140mAAMPLIFIER60MHz1.1VNPNNPN300V100mA50 ns300V50 @ 25mA 20V10nA ICBO600mV @ 5mA, 30mA60MHz300V300V5V4.5A0.6 V6.35mm6.35mm6.35mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅------------
- Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin SC-70 T/R4 Weeks-表面贴装表面贴装SC-70, SOT-3233--50V-Tape & Reel (TR)-2012e3活跃1 (Unlimited)3EAR99202mWDUAL鸥翼-MUN52**DW1T3Single202mW--SWITCHING---NPN - Pre-Biased50V100mA--35 @ 5mA 10V500nA250mV @ 300μA, 10mA-50V--------无ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 22 hours ago)yesTin (Sn)150°C-55°CBUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1AEC-Q101NPN无卤素10 k Ω100mA10 k Ω
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| RN1314(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 | SC-70, SOT-323 | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin USM T/R | 对比 | |
| RN1302,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 | SC-70, SOT-323 | Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 3-Pin USM Embossed T/R | 对比 | |
| RN1318(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 | SC-70, SOT-323 | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin USM T/R | 对比 |



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