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首页 全部分类 BFG35,115 vs DTC923TUBTL

BFG35,115备选型号: DTC923TUBTL

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  • 晶体管类型
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
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  • 频率转换
  • 最大耗散功率(Abs)
  • 最高频段
  • 环境耗散-最大值
  • RoHS状态
  • 底架
  • 引脚数
  • 最高工作温度
  • 最大功率耗散
  • 极性
  • 元素配置
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最高频率
  • 最大击穿电压
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 最小直流增益（hFE）
  • 连续集电极电流
  • 无铅
  • NXP USA Inc.
    BFG35,115
    NXP USA Inc.
    RF WIDEBAND TRANSISTOR, NPN, 18V, 4GHZ, 3-SOT-223 - More Details
    16 Weeks
    YES
    TO-261-4, TO-261AA
    表面贴装
    SILICON
    150mA
    1995
    Tape & Reel (TR)
    175°C TJ
    e3
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    Tin (Sn)
    8541.29.00.75
    DUAL
    鸥翼
    260
    未说明
    BFG35
    4
    CECC
    R-PDSO-G4
    不合格
    SINGLE
    COLLECTOR
    1W
    AMPLIFIER
    NPN
    NPN
    25 @ 100mA 10V
    18V
    4000MHz
    4GHz
    1W
    超高频B型
    1W
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ROHM Semiconductor
    DTC923TUBTL
    ROHM Semiconductor
    TRANS PREBIAS NPN 20V 0.2W UMT3F
    7 Weeks
    -
    SC
    -
    SILICON
    1
    2013
    Tape & Reel (TR)
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    DUAL
    FLAT
    未说明
    未说明
    -
    -
    -
    R-PDSO-F3
    -
    -
    -
    -
    SWITCHING
    -
    -
    -
    -
    35MHz
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    表面贴装
    85
    150°C
    200mW
    NPN
    Single
    100mV
    400mA
    35MHz
    20V
    40V
    820
    400mA
    无铅
  • 添加型号
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