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BFG541,115备选型号: BFG35,115

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  • 描述:
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 表面安装
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • HTS代码
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 箱体转运
  • 功率 - 最大
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 晶体管类型
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 转换频率
  • 频率转换
  • 最大耗散功率(Abs)
  • 最高频段
  • 噪音数字(分贝类型@ f)
  • 环境耗散-最大值
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 参考标准
  • NXP USA Inc.
    BFG541,115
    NXP USA Inc.
    NXP BFG541,115 RF WIDEBAND TRANSISTOR, NPN, 15V, 9GHZ,
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    YES
    SILICON
    120mA
    175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    1997
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    8541.21.00.75
    DUAL
    鸥翼
    260
    40
    BFG541
    4
    R-PDSO-G4
    不合格
    SINGLE
    COLLECTOR
    650mW
    SWITCHING
    NPN
    NPN
    60 @ 40mA 8V
    15V
    9000MHz
    9GHz
    0.65W
    L B
    1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz
    0.65W
    ROHS3 Compliant
    -
    -
  • NXP USA Inc.
    BFG35,115
    NXP USA Inc.
    RF WIDEBAND TRANSISTOR, NPN, 18V, 4GHZ, 3-SOT-223 - More Details
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    YES
    SILICON
    150mA
    175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    1995
    e3
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    8541.29.00.75
    DUAL
    鸥翼
    260
    未说明
    BFG35
    4
    R-PDSO-G4
    不合格
    SINGLE
    COLLECTOR
    1W
    AMPLIFIER
    NPN
    NPN
    25 @ 100mA 10V
    18V
    4000MHz
    4GHz
    1W
    超高频B型
    -
    1W
    ROHS3 Compliant
    16 Weeks
    CECC
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