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首页 全部分类 BFG541,115 vs IMZ1AT108

BFG541,115备选型号: IMZ1AT108

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  • 表面安装
  • 晶体管元件材料
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  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
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  • HTS代码
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 箱体转运
  • 功率 - 最大
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 晶体管类型
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 转换频率
  • 频率转换
  • 最大耗散功率(Abs)
  • 最高频段
  • 噪音数字(分贝类型@ f)
  • 环境耗散-最大值
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 引脚数
  • 无铅代码
  • 最大功率耗散
  • 额定电流
  • 最大输出电流
  • 工作电源电压
  • 极性
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 增益带宽积
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 最高频率
  • 最大击穿电压
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 连续集电极电流
  • VCEsat-最大值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • NXP USA Inc.
    BFG541,115
    NXP USA Inc.
    NXP BFG541,115 RF WIDEBAND TRANSISTOR, NPN, 15V, 9GHZ,
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    YES
    SILICON
    120mA
    175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    1997
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    8541.21.00.75
    DUAL
    鸥翼
    260
    40
    BFG541
    4
    R-PDSO-G4
    不合格
    SINGLE
    COLLECTOR
    650mW
    SWITCHING
    NPN
    NPN
    60 @ 40mA 8V
    15V
    9000MHz
    9GHz
    0.65W
    L B
    1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz
    0.65W
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ROHM Semiconductor
    IMZ1AT108
    ROHM Semiconductor
    TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6SMT
    表面贴装
    SC-74, SOT-457
    -
    SILICON
    50V
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    1997
    e3/e2
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    TIN/TIN COPPER
    -
    8541.21.00.75
    -
    鸥翼
    260
    10
    *MZ1
    6
    -
    -
    -
    -
    -
    AMPLIFIER
    -
    NPN, PNP
    120 @ 1mA 6V
    -
    180MHz
    180MHz 140MHz
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    13 Weeks
    表面贴装
    6
    yes
    300mW
    150mA
    150mA
    50V
    NPN, PNP
    Dual
    300mW
    180MHz
    50V
    150mA
    100nA ICBO
    400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
    100MHz
    50V
    60V
    -6V
    -150mA
    0.4 V
    1mm
    2.9mm
    1.6mm
    无SVHC
    无
    无铅
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