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首页 全部分类 BFP540FESDH6327XTSA1 vs MT3S20TU(TE85L)

BFP540FESDH6327XTSA1备选型号: MT3S20TU(TE85L)

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  • 功率耗散
  • 晶体管应用
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  • 晶体管类型
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  • 增益
  • 转换频率
  • 最大击穿电压
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  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 集电极-基极电容-最大值
  • 噪音数字(分贝类型@ f)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • Reach合规守则
  • 元素配置
  • 频率转换
  • 连续集电极电流
  • Infineon Technologies
    BFP540FESDH6327XTSA1
    Infineon Technologies
    Trans GP BJT NPN 4.5V 0.08A 4-Pin TSFP T/R
    8 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    4-SMD, Flat Leads
    4
    SILICON
    5V
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2005
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    250mW
    DUAL
    30GHz
    BFP540
    SINGLE
    250mW
    AMPLIFIER
    无卤素
    NPN
    NPN
    4.5V
    80mA
    50 @ 20mA 3.5V
    20dB
    30000MHz
    5V
    10V
    1V
    0.26pF
    0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    MT3S20TU(TE85L)
    Toshiba Semiconductor and Storage
    RF Bipolar Transistors Radio-Freq VHF/UHF 80mA 900mW 12V
    12 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    3-SMD, Flat Lead
    -
    -
    12V
    150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2014
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    900mW
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    NPN
    NPN
    12V
    80mA
    100 @ 50mA 5V
    12dB
    5000MHz
    12V
    -
    1.5V
    -
    1.45dB @ 20mA, 5V
    -
    符合RoHS标准
    -
    unknown
    Single
    7GHz
    80mA
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