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首页 全部分类 BFP620FH7764XTSA1 vs IMH11AT110

BFP620FH7764XTSA1备选型号: IMH11AT110

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  • 终端形式
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  • 电阻-发射极基极(R2)
  • VCEsat-最大值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    BFP620FH7764XTSA1
    Infineon Technologies
    Trans GP BJT NPN 2.3V 0.08A 4-Pin TSFP T/R
    8 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    4-SMD, Flat Leads
    4
    硅锗
    2.8V
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2005
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    LOW NOISE, HIGH RELIABILITY
    185mW
    DUAL
    未说明
    未说明
    BFP620
    AEC-Q101
    SINGLE
    185mW
    AMPLIFIER
    无卤素
    NPN
    NPN
    2.3V
    80mA
    110 @ 50mA 1.5V
    21dB ~ 10dB
    65000MHz
    2.8V
    65GHz
    7.5V
    C B
    0.2pF
    0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ROHM Semiconductor
    IMH11AT110
    ROHM Semiconductor
    TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6
    13 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    SC-74, SOT-457
    6
    -
    50V
    -
    Tape & Reel (TR)
    2004
    e1
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
    300mW
    -
    260
    10
    *MH11
    -
    -
    -
    SWITCHING
    -
    -
    2 NPN - Pre-Biased (Dual)
    300mV
    100mA
    30 @ 5mA 5V
    -
    250MHz
    50V
    250MHz
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    yes
    锡银铜
    150°C
    -55°C
    8541.21.00.75
    50V
    鸥翼
    50mA
    6
    100mA
    50V
    NPN
    Dual
    300mW
    500nA
    300mV @ 500μA, 10mA
    5V
    10k Ω
    100mA
    10k Ω
    0.3 V
    1.2mm
    3mm
    1.8mm
    无SVHC
    无
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