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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.857468
10
¥1.752328
100
¥1.65314
500
¥1.559566
1000
¥1.471288
Infineon Technologies BFP620FH7764XTSA1
- 收藏
- 对比
BFP620FH7764XTSA1
1211-BFP620FH7764XTSA1
晶体管 - 双极(BJT)- 射频
4-SMD, Flat Leads
大陆
立即发货

Trans GP BJT NPN 2.3V 0.08A 4-Pin TSFP T/R
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BFP620FH7764XTSA1详情
Infineon Technologies BFP620FH7764XTSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
8 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
4-SMD, Flat Leads
引脚数
4
晶体管元件材料
硅锗
Collector-Emitter Breakdown Voltage
2.8V
Number of Elements
1
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2005
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
附加功能
LOW NOISE, HIGH RELIABILITY
最大功率耗散
185mW
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
BFP620
参考标准
AEC-Q101
配置
SINGLE
功率 - 最大
185mW
晶体管应用
AMPLIFIER
无卤素
无卤素
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
2.3V
最大集电极电流
80mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
110 @ 50mA 1.5V
增益
21dB ~ 10dB
转换频率
65000MHz
最大击穿电压
2.8V
频率转换
65GHz
集电极基极电压(VCBO)
7.5V
最高频段
C B
集电极-基极电容-最大值
0.2pF
噪音数字(分贝类型@ f)
0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BFP620FH7764XTSA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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Infineon Technologies







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