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首页 全部分类 BFR193E6327HTSA1 vs 2SCR502EBTL

BFR193E6327HTSA1备选型号: 2SCR502EBTL

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  • 宽度
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  • 最大集极截止电流
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  • 最大击穿电压
  • 连续集电极电流
  • Infineon Technologies
    BFR193E6327HTSA1
    Infineon Technologies
    TRANSISTOR NPN RF 12V SOT-23
    4 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    SILICON
    80mA
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2014
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    12V
    580mW
    DUAL
    鸥翼
    65mA
    8GHz
    BFR193
    Single
    580mW
    AMPLIFIER
    不含卤素
    NPN
    NPN
    12V
    80mA
    70 @ 30mA 8V
    10dB ~ 15dB
    8000MHz
    20V
    2V
    1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
    1mm
    2.9mm
    1.3mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ROHM Semiconductor
    2SCR502EBTL
    ROHM Semiconductor
    TRANS NPN 30V 0.5A EMT3F
    13 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    SC-89, SOT-490
    -
    SILICON
    30V
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2015
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    150mW
    DUAL
    FLAT
    -
    -
    -
    Single
    -
    AMPLIFIER
    -
    NPN
    NPN
    30V
    500mA
    200 @ 100mA 2V
    -
    360MHz
    30V
    6V
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    100mV
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PDSO-F3
    360MHz
    200nA ICBO
    300mV @ 10mA, 200mA
    30V
    500mA
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2SCR522EBTL 2SCR522EBTL ROHM Semiconductor 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 SC-89, SOT-490 TRANS NPN 20V 0.2A EMT3F 对比